Spin Transfer Torque MRAM

活动时间： 01月03日14时30分       

地            点  ： 理科群2号楼A-302室

讲座内容：

电子电荷半导体固态存储器的发展接近了极限，而作为其最大可能替代产品的电子自旋转移磁距磁存储器的研究正在得到井喷式的发展以满足大数据时代存储的需求。本报告，首先介绍半导体固态存储器及其存在的问题，进而介绍电子自旋转移的理论基础及导出加入电子自旋转移磁距的朗道—Lifshitz （LL)方程，然后介绍水平自旋转移磁矩存储器及垂直自旋转移磁矩存储器。最后介绍创新的杂交自旋转移磁矩存储器及导出加入了附加的电子转移磁矩的LL方程以实现多位的小型化的存储。

主讲人介绍：

霍素国, 博士，伦敦纳米技术中心技术主管。长期从事磁存储和纳米计量方面的研究，开发及研究产品化方面的工作，曾在英国谢菲尔大学，布里斯托大学，希捷英国公司、从事计算机硬盘及磁记录薄膜材料的研究，之后进入伦敦大学学院从事纳米技术材料及器件的研究。作为希捷公司的高级资深工程师和首席纳米技量专家，曾参与及指导了希捷巨磁阻GMR, TMR 读头及垂直磁记录的研究与产品化。在纳米材构表征、磁学及磁记录材料的实验与理论研究等方面取得了引人注目的成绩。

发布时间：2019-12-30 14:30:18