实现自主“强芯”新建研发平台 石市将加快集成电路产业发展

03.09.2018  11:02

实现自主“强芯”新建研发平台

石市将加快集成电路产业发展

石家庄市人民政府办公厅日前发布《关于加快集成电路产业发展的实施意见》,通过实施“六大工程”,加快构建“4+4”现代产业发展格局,进一步引导集成电路产业集聚,实现规模持续增长,提升产业优势。到2020年,力争石家庄市集成电路产业实现主营业务收入年均增长30%以上。

提升产业竞争力 培育壮大产业规模

提升集成电路产业竞争力。依托现有科研院所技术研发优势,加快集成电路产业发展。推进6英寸碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)单晶、高端传感器等产品研发及产业化,提升射频集成电路、SoC电路和卫星导航、卫星通信终端模块等产品研发、设计水平,促进集成电路企业做强做大。

培育壮大集成电路产业规模。到2020年,力争石家庄市集成电路产业实现主营业务收入年均增长30%以上。在集成电路上下游企业引进方面有所突破,培育集成电路设计服务及专用材料企业。新建1-2家企业技术中心、重点实验室、工程(技术)研究中心、工程实验室等研发平台。着力形成以集成电路专用材料、集成电路设计、集成电路加工制造、集成电路封装测试为核心的较为完备的集成电路产业链。

打造全国领先的专用设计制造基地

集成电路产业聚集工程。围绕下一代通信网络、北斗导航、卫星通信、物联网、人工智能、工业互联网、网络安全等开展集成电路芯片关键工艺技术研发设计、新型材料研发及产业化。重点发展微波集成电路设计、射频集成电路设计、超大规模SoC电路设计、微机电系统(MEMS)器件、光电模块等,加快科研成果孵化转化,打造全国领先的专用集成电路设计制造基地。

集成电路产业“固基”工程。保持硅外延材料国内技术领先优势,加快推进8英寸硅外延片、4英寸碳化硅规模化发展,持续提升产品质量和市场占有率;加快12英寸硅外延片、第三代半导体碳化硅(SiC)单晶及碳化硅外延材料、氮化镓、陶瓷新材料等关键材料研发与产业化,到2020年,形成年产碳化硅单晶衬底10万片生产能力。

实现自主芯片在行业的规模应用

专用集成电路设计“强芯”工程。提升双模导航接收芯片、多模式卫星导航射频接收芯片、多模式卫星导航低噪声放大器芯片、卫星通信射频系列芯片及模组、电源管理芯片、微机电系统(MEMS)芯片等设计水平。推动第三代北斗导航高精度芯片、第五代移动通信基站宽带高频段功率放大器和射频前端芯片、卫星移动通信基带及射频芯片、无人机基带及射频芯片研发和产业化。开发、设计面向移动智能终端、网络通信、物联网、工业控制等领域应用的关键芯片和产品。鼓励芯片设计企业与行业应用领域整机企业合作,实现自主芯片在行业的规模应用。

加强已有科技创新研发平台建设

科技创新工程。加强已有科技创新研发平台建设,重点抓好1个国家工程研究中心——通信软件与专用集成电路设计国家工程研究中心;1个国家地方联合工程实验室——高密度集成电路封装技术国家地方联合工程实验室;2个省级工程技术研究中心——河北省硅基外延材料工程技术研究中心、河北省光电陶瓷封装工程技术研究中心;2个省级工程实验室——河北省恒温晶振工程实验室、射频集成电路与系统工程实验室;7个市级工程技术研究中心——石家庄市微电子机械系统工程技术研究中心、石家庄市射频集成电路工程技术研究中心等。推进石家庄市GaN功放企业技术中心、河北省宽带重点实验室和第三代半导体院士工作站申请、建设。

主动承接京津产业转移

项目建设工程。依托本地集成电路产业基础和发展优势,在集成电路设计、第三代半导体、卫星移动通信、MEMS、光通信及激光器等重点环节和领域,谋划、实施一批对产业发展具有重要促进作用的科研和产业项目,培育新增长点,提升产业整体发展水平。推进8英寸硅外延片扩产、MEMS物联网传感器及系统产业化、移动通信用GaN功放芯片的研发及产业化等一批项目。在集成电路设计方面,推进针对多核SoC平台、网络处理器与交换平台以及专用电路及IP平台进行建设;在现有洁净室、测试设备的基础上建设集成电路封装、测试线。

产业承接和引入工程。依托通信软件与专用集成电路设计国家工程研究中心、高密度集成电路封装技术国家地方联合工程实验室等创新平台,主动承接京津产业转移,以集成电路封装测试项目为起步,引进外部集成电路设计、封装测试企业,发展高端硅材料及封装材料产业,延伸集成电路产业链条,着力逐步形成集成电路设计、封装测试、集成电路专用材料、智能产品制造等较为完整的集成电路产业链。(记者孙会芳)

责任编辑:李瑾