n-p共掺杂拓扑绝缘体和石墨烯体系中量子反常霍尔效应的研究

活动时间： 09月27日14时30分       

地            点  ： 理科群2号楼B409室

讲座内容：

量子反常霍尔效应是不依赖于强外磁场的量子霍尔效应。在本报告中，首先介绍n-p共掺杂方法在磁掺杂的拓扑绝缘体中的应用，研究发现n-p共掺杂的拓扑绝缘体可以实现超过50K的量子反常霍尔效应，高出现有的观察温度三个量级。然后介绍n-p共掺杂石墨烯体系中的量子反常霍尔效应研究，发现B/Ni共掺杂的石墨烯体系既可以实现长程的铁磁性，又可以打开非平庸的拓扑能隙，从而预言在新的体系可以实现高于10K的量子反常霍尔效应。

主讲人介绍：

齐世飞，1978年生，博士，教授，山西省高等学校青年学术带头人，山西省高等学校优秀中青年拔尖创新人才。主要从事自旋电子学相关的材料模拟研究，围绕石墨烯的铁磁化和拓扑绝缘体中量子反常霍尔效应开展研究工作。以第一或通讯作者在Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Carbon, Sci. Rep., J. Phys. Chem. B, J. Org. Chem.等国际重要期刊发表论文20 余篇。先后主持并完成国家自然科学青年基金项目1 项、省部级科研项目3项。

发布时间：2017-09-25 08:55:22