二维黑磷烯本征缺陷性质第一性原理计算研究

活动时间： 05月22日10时10分       

地            点  ： 理科群2号楼B404室

讲座内容：

近年来，二维纳米材料因其优越的电气特性，成为半导体材料研究的新方向。继石墨烯、二硫化钼之后，最近一种新型二维半导体材料——黑磷烯被发现并成功制备了相应的场效应晶体管器件。与石墨烯和相比，该二维材料具有直接带隙且其带隙值其能隙可通过改变堆叠的黑磷层数来调节。此外，它还具有良好的电子迁移率（~1000cm2/Vs），非常高的漏电流调制率（是石墨烯的104-105倍）。因此在晶体管、传感器、太阳能电池、开关、电池电极等方面具有十分广泛的的应用潜力。最近众多实验表明本征黑磷烯呈p型导电特性，我们采用基于杂化密度泛函理论结合范德瓦尔斯修正方法的第一原理计算研究了该材料的本征缺陷性质，揭示了p型导电特性可能源于磷空位和间隙磷缺陷。

主讲人介绍：

王伟，西安理工大学副教授。2010年获西安交通大学凝聚态物理专业理学博士学位，2010-2012年期间为日本东北大学金属材料研究所博士后研究员。主要从事缺陷及杂质对宽带隙半导体及新型二维纳米材料光、电及磁特性影响机制的第一性原理计算研究。发表SCI论文15篇，其中以第一作者兼通讯作者在Phys. Rev. B, J. Appl. Phys., J. Phys. D: Appl. Phys., Solid State Commun.等期刊发表论文10篇。

发布时间：2015-05-20 15:17:06