二维材料的谷间散射效应

活动时间： 05月24日10时10分       

地            点  ： 腾讯会议

讲座内容：

具有蜂窝晶格的单层二维材料，在能带结构第一布里渊区内有两个不等价的能量极值点，被称为谷。我们可以像操作自旋一样去控制两个谷中电子不同占据进行信息编码，从而设计和实现处理速度快、信息不易丢失、集成度高、能耗小的谷电子学器件。如何实现谷极化是利用谷自由度进行信息编码的先决条件。本报告介绍在单层过渡金属二硫化物异质横向超晶格中谷间散射引起的谷极化能隙，以及基于此理论上预言的谷极化流和谷电阻；在石墨烯势垒超晶中能带折叠后，不同谷的相同子格赝自旋态之间的散射引起了谷选择的Klein隧穿现象。

主讲人介绍：

安兴涛，河北科技大学理学院教授。主要从事低维纳米材料中电子性质和输运性质方面的研究。2009年在河北师范大学获得博士学位，2011-2015年期间先后在中国科学院半导体研究所和香港大学从事博士后研究，2011年入选河北省三三三人才工程第三层次人选，2013年获河北省首批青年拔尖人才称号，2017年获得河北省高校百名优秀创新人才资助，2018年获得河北省杰出青年科学基金资助，2018年作为第一完成人获得河北省自然科学二等奖，2019年获得河北省政府特殊津贴专家称号。近年来主持国家自然科学基金项目2项，河北省科研项目4项。以第一作者或通讯作者身份在Phys. Rev. Lett.等SCI期刊发表学术论文20余篇。现任河北省物理学会理事，国家科技奖励评审专家，教育部长江学者评审专家，《J. Phys.: Condens. Matter》期刊咨询委员会成员。

发布时间：2020-05-21 17:12:48