高迁移率晶体管材料与高k栅介质的界面研究

活动时间： 10月14日10时00分       

地            点  ： 理科2号楼A302

讲座内容：

10纳米以下晶体管有望利用高迁移率的III-V族化合物半导体与Ge做沟道材料，然而高质量的III-V族半导体及Ge与高k栅介质的界面是目前最大的技术难题之一。原子层沉积生长的高k栅介质在初始反应阶段有降低界面氧化物的“自清洁”效应，界面氧化物被认为与界面缺陷直接相关，因此原子层沉积对提升界面质量有帮助。其在初始阶段的具体的“自清洁”效应的机制将通过原位X-射线光电子能谱（XPS）进行表征。退火处理是器件制备中常用的工艺，并且考虑到和纳米尺度下晶体管运行中产生的自热效应对半导体/高k栅介质的界面影响，在退火过程中界面元素扩散通过角分辨XPS和同步辐射XPS进行表征。AlN薄层对界面元素扩散的钝化作用也将得到表征。

主讲人介绍：

董红，南开大学电光学院副教授。2007年兰州大学物理系本科毕业，2013年德克萨斯大学达拉斯分校获博士学位，随后在本校做博士后。2014年到南开大学电光学院工作。

从事III-V族半导体与高k栅介质的界面研究。利用原位X-射线光电子能谱(XPS)表征原子层沉积初始阶段的“自清洁”效应，以及III-V族半导体及Ge与高k栅介质的热稳定性研究。自2000年至今，在Appl. Phys. Lett., ACS Appl. Mat. & Interfaces等刊物第一作者和合作发表学术论文30余篇，SCI总引用超过500次。目前为Appl. Phys. Lett.、Vacuum、Appl. Surf. Sci.等期刊审稿人。主持国家自然科学基金、天津市自然科学基金各一项。

发布时间：2016-10-11 16:23:17