基于快速电子器件应用的新型材料设计

活动时间： 10月14日15时00分       

地            点  ： 理科2号楼A308

讲座内容：

随着以摩尔定律为驱动的半导体技术路线图即将终结，寻找能替代硅材料的快速、低功耗的新型电子材料，成为开发下一代半导体器件的关键问题之一。由于具有类石墨结构的二维材料、III-V半导体材料、自旋电子材料等具有优异的电学性能，有望应用于下一代半导体器件中。本报告涉及上述材料在电子器件应用中的实际问题，理论上通过掺杂、钝化等手段调控其电子结构，旨在提高其电学性能。

主讲人介绍：

王维华，南开大学电子信息与光学工程学院副教授，硕士生导师。2002年7月毕业于河北师范大学物理学院，获物理学学士学位；2007年7月毕业于中国科学院固体物理研究所，获凝聚态物理专业博士学位；自2007年7月起，在南开大学工作。2008年4-6月，在新加坡南洋理工大学做访问学者；2013年4月-2014年6月，在美国德州大学达拉斯分校做访问研究员。

主要从事新型功能电子材料电子结构、磁性、表面和界面性质与调控，过渡金属化合物催化机理的研究。研究方向包括：石墨烯、类石墨烯结构功能电子材料电子结构、表面与界面、能带排列、掺杂等性质；金属/氧化物半导体薄膜和纳米结构自旋相关性质；过渡金属化合物材料奇异量子态和反常基态性质；过渡金属化合物的催化性质及物理机制。近年来在ACS Appl. Mater. Interfaces, Sci. Rep., Appl. Phys. Lett., APL Mater., J. Phys. Chem. C, Phys. Rev. B等材料类、物理类学术期刊上发表SCI检索学术论文30多篇。担任ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., Appl. Surf. Sci., Phys. B等期刊的审稿人。主持国家自然科学基金、教育部博士点基金、央属高校青年教师及海外留学归国人员基金等项目；作为骨干，参与多项国家自然科学基金、国家重大研发计划、天津市科技支撑计划重点项目、天津市自然科学基金等项目。

发布时间：2016-10-11 16:32:55